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Amptek將硅片制造引入內(nèi)部，并改進(jìn)了工藝。其結(jié)果是探測器具有更低的噪聲、更低的泄漏電流、更好的電荷收集以及探測器之間的均勻性。這使其成為性能更好的硅漂移探測器。
FAST SDD代表Amptek高性能的硅漂移檢測器（SDD），能夠在保持分辨率的同時(shí)，計(jì)數(shù)率超過1000000 CPS（每秒計(jì)數(shù)）。FAST SDD還可與C系列（Si3N4）低能窗一起使用，用于軟x射線分析。
與傳統(tǒng)SDD不同，F(xiàn)AST SDD在密封的TO-8封裝內(nèi)使用結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）和外部前置放大器，在TO-8封裝內(nèi)部使用互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）前置放大器，并用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）代替JFET。這降低了電容，提供了更低的串聯(lián)噪聲，并在極短的峰值時(shí)間內(nèi)提高了分辨率。FAST SDD使用相同的檢測器，但前置放大器在短峰值時(shí)間內(nèi)提供較低的噪聲。改進(jìn)的（較低的）分辨率能夠隔離/分離具有接近能量值的熒光X射線，否則峰值將重疊，從而允許用戶更好地識(shí)別其樣品中的所有元素。峰值時(shí)間短也會(huì)提高計(jì)數(shù)率；更多的計(jì)數(shù)提供更好的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。
性能特點(diǎn)檢測器類型：帶CMOS前置放大器的硅漂移檢測器（SDD）
探測器尺寸：25 mm2-校準(zhǔn)至17 mm2
也可提供70mm2-準(zhǔn)直至50mm2
硅厚度：500 m或1000um可用
準(zhǔn)直器內(nèi)部：多層準(zhǔn)直器（ML）
4 s峰值時(shí)間下5.9 keV（55Fe）：122-129 eV FWHM時(shí)的能量分辨率（保證）
峰值與背景：20000:1（計(jì)數(shù)比從5.9 keV到1 keV）（典型）
探測器窗口選項(xiàng)：鈹（Be）：0.5密耳（12.5 m）或0.3密耳（8 m）
C系列（Si3N4）低能耗窗戶
電荷敏感型前置放大器：CMOS
增益穩(wěn)定性： 20 ppm/ C（典型）
探測器模塊：TO-8封裝（0.640英寸高，包括銷，0.600英寸直徑）
XR100盒3.00 x 1.75 x 1.13英寸（7.6 x 4.4 x 2.9厘米）
X-123箱3.94 x 2.67 x 1.0英寸（10.0 x 6.78 x 2.54厘米）
原始設(shè)備制造商：配置各不相同
重量
探測器模塊：0.14箱（4.1克）
XR100盒：4.4盎司（125克）
X-123箱：6.3盎司（180克）
原始設(shè)備制造商：配置各不相同
總功率： 2瓦
設(shè)備壽命：通常為5至10年，具體取決于使用情況
操作條件：-35 C至+80 C
在干燥環(huán)境中長期儲(chǔ)存10年以上
典型儲(chǔ)存和運(yùn)輸：-40 C至+85 C，濕度10至90%，不凝結(jié)
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